三星拟将中国芯片工厂投资增至80亿美元 提高产量

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(原标题:Report: Samsung to increase investment in its chip factory in China by $8B to boost production of NAND flash memory chips)

网易科技讯 12月13日消息,据外媒报道,三星电子公司拟将在中国芯片工厂的投资增加到80亿美元,以提高NAND闪存芯片产量。

三星拟将中国芯片工厂投资增至80亿美元 提高产量

三星增加投资正值内存芯片价格有望于明年反弹之际,由于供应有限,市场对5G设备和网络的需求也在不断上升。三星是全球最大的NAND闪存芯片制造商,这类芯片可以可用于移动设备、存储卡、U盘和固态硬盘中。

2017年,三星宣布将在三年内向位于西安的NAND闪存芯片工厂投资70亿美元。在这些投资进行之前,该公司曾向西安的一家测试和包装工厂投资108亿美元。三星对此拒绝置评。

三星在NAND闪存领域的竞争对手包括韩国SK海力士(SK Hynix)和美国美光科技(Micron Technology)以及日本东芝,几家中国企业也正试图进入内存领域,但它们至今尚未取得太大成功,还不足以与这些巨头竞争。

今年秋季,长江存储科技有限责任公司(YMTC)宣布,将开始大规模生产64层3D NAND芯片,这是多数领先行业企业遵循的基准。(小小)

本文来源:网易科技报道
责任编辑:王凤枝_NT2541

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原文地址:《三星拟将中国芯片工厂投资增至80亿美元 提高产量》 发布于2019-12-13

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